一种半导体器件及其制造方法、电子装置

本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底上形成有鳍片和横跨鳍片的栅极，其中，在栅极的侧壁、鳍片的侧壁和衬底组成的交界区域存在栅极材料层的残留部；在栅极的侧壁形成保护层，暴露残留部；以保护层为掩膜，去除残留部。本申请方案能够去除残留部，有效改善3DR，同时不会影响其他核心结构参数，提高了器件性能和可靠性。