一种高深径比微纳通孔的离子束增减材一体化填充工艺及结构

本发明提供了一种高深径比微纳通孔的离子束增减材一体化填充工艺及结构，首先提供具有高深径比通孔的基底，然后进行第一次离子束溅射沉积，以第一沉积入射角将薄膜材料沉积到基底上，在通孔的内壁和孔口处形成种子层；然后进行离子束刻蚀，以刻蚀入射角对基底进行离子束刻蚀，去除孔口处多余的薄膜材料，刻蚀入射角大于第一沉积入射角；最后进行第二次离子束溅射沉积，以第二沉积入射角将薄膜材料进一步沉积到基底上，继续增厚通孔内壁和孔口处的种子层。通过沉积‑刻蚀‑沉积的三步工艺形成均匀、连续的种子层，有效克服阴影效应，特别适用于高深径比TSV和TGV等先进互连结构中阻挡层、导电种子层等的无缺陷填充。