镀膜氮化镓基板、氮化镓/金刚石键合结构及其制备方法

本发明提供了一种镀膜氮化镓基板、氮化镓/金刚石键合结构及其制备方法，属于半导体技术领域，镀膜氮化镓基板包括GaN外延片和镀覆在GaN外延片上的镀膜层，镀膜层的物相组分比例沿径向呈阶梯式梯度分布，镀膜层的中心的物相组分为纯SiC，镀膜层的最外围边缘的物相组分为纯Si，介于镀膜层的中心与镀膜层的最外围边缘之间的过渡区域的物相组分为SiC与Si的混合相；自中心向最外围边缘方向，过渡区域中Si的占比逐级阶跃递增。本发明的镀膜层呈现径向“中心刚性‑边缘顺应性”梯度功能复合特性，可同步实现“中心区域高效导热”与“边缘区域应力/热失配局域化适应”，避免氮化镓与金刚石间大面积的未键合空洞及接触失效。