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一种AlN/Cu/AlN高导热复合结构及其制备方法与应用

发明专利未知
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

齐鹏翔; 赖薏航; 陈广学; 胡启钊; 杨婵

申请日

Aug 27, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

B22F 7/04 (2006.01)C23C 26/00 (2006.01)B22F 1/10 (2022.01)B41M 1/12 (2006.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/00 (2026.01)

本发明属于电子封装与散热材料技术领域,尤其涉及一种AlN/Cu/AlN高导热复合结构及其制备方法与应用,该复合结构包括:Cu层、复合粘结层、AlN层;Cu层的至少两面均设有复合粘结层,复合粘结层呈对称设置;复合粘结层背离Cu层的一面设置有AlN层,复合粘结层由Cu和AlN粉末与有机载体混合形成,用以增强铜层与氮化铝层之间的界面结合与导热过渡性能;AlN层通过低温涂覆与干燥固化工艺直接形成于铜层两侧。与现有工艺相比,本发明工艺简单、能耗低、设备要求少,无需烧结助剂即可获得良好界面结合;本发明的AlN/Cu/AlN高导热复合结构具有较高导热率,适用于高功率电子模块、LED照明、电动汽车驱动系统及其他高热流密度PCB的制备。

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