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一种制备高纯镍的电积装置及方法
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
姚力军; 郭廷宏; 任保佑; 井富; 贺晓涛
申请日
Jul 28, 2026
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
C25C 1/08 (2006.01)C25C 7/00 (2006.01)
本发明提供一种制备高纯镍的电积装置及方法,所述电积装置包括:阴极室,所述阴极室内部设置有钛板阴极;对称设置于阴极室两侧的两个阳极膜组件,每个所述阳极膜组件由内向外依次由阴离子交换膜、第一中隔室、阳离子交换膜、阳极室、阳离子交换膜、第二中隔室和阴离子交换膜层叠构成;所述阳极室为由其两侧的阳离子交换膜围成的封闭腔室,内部设置有阳极。本发明采用阴阳离子膜与金属阳极组成的一体式阳极膜组件,各极室相对密闭,除特定的阴阳离子可穿透阴阳离子膜而移动外,隔绝了其它离子的自由流动,从而避免氯气在阳极的产生,是一种环保、绿色的电解工艺。
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