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一种低应力、高钼含量钴钼合金镀层的制备方法及应用

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

杨晨; 王宇飞; 王飞; 郝泽泽; 程坤; 冯庆; 王晓锋

申请日

Jun 29, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

C25D 3/56 (2006.01)C25D 5/18 (2006.01)C25D 5/00 (2006.01)C25B 1/04 (2021.01)C25B 11/089 (2021.01)

本发明提供了一种低应力、高钼含量钴钼合金镀层的制备方法,该方法为:将以下终浓度的原料加入至去离子水中:柠檬酸三钠0.1~0.3 mol/dm、CoSO·7HO 0.05~0.2mol/dm、NaMoO·2HO 0.01~0.03 mol/dm,得到电镀液,对工作电极进行反向脉冲电沉积,得到镀层样品;参数包括:阴极脉冲电位:‑1300~‑1200 mV;阳极脉冲电位:‑500~‑300mV;阴极脉冲时间:5~15 s;阳极脉冲时间:100~300 ms;总沉积电荷密度:13~80 C/cm;冲洗、吹干,在工作电极表面得到具有低应力、高钼含量钴钼合金镀层。还提供了应用,制备的钴钼合金镀层作为工作电极,用于碱性电解水析氢反应。本发明的钴钼合金镀层无裂纹、低应力、纳米晶结构稳定,克服了直流电沉积镀层易开裂、脆性大的技术瓶颈,提高了镀层的致密性、机械稳定性和催化性能。

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