存储器阵列、半导体结构及其形成方法

半导体结构包括器件层和互连结构。器件层包括第一单元的第一有源区域、共享第一有源区域的第一晶体管和第二晶体管、与第一单元邻接的第二单元的第二有源区域、和共享第二有源区域的第三晶体管和第四晶体管。互连结构包括沿第二方向延伸并且电耦接到第二晶体管和第四晶体管的源极/漏极区域的第一接合焊盘、电耦接到第一晶体管的源极/漏极区域的第二接合焊盘、沿第一方向在第二单元之上延伸并且电耦接到第一接合焊盘的第一金属线、以及沿第一方向在第一单元之上延伸并且电耦接到第二接合焊盘和第三晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二金属线。本公开的实施例还提供了存储器阵列和形成半导体结构的方法。