纵向沟槽型MOSFET器件及其制备方法

本发明公开了一种纵向沟槽型MOSFET器件及其制备方法。纵向沟槽型MOSFET器件的制备方法包括：在衬底上形成层叠的n型外延层、p型沟道层，形成第一堆叠体；在第一堆叠体内形成第一槽状结构，第一槽状结构的槽口、槽底均位于p型沟道层；在第一槽状结构内生长n型掺杂层，形成第二堆叠体；自未被n型掺杂层覆盖的区域对p型沟道层进行退火处理，以激活p型沟道层内的受主杂质；在第二堆叠体内形成第二槽状结构，第二槽状结构的槽口位于n型掺杂层、槽底位于n型外延层内；制作源极、漏极和栅极。本发明采用二次外延形成n+GaN源区，无需刻蚀开窗激活p‑GaN，可以避免刻蚀开窗带来的影响。