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具有正交屏蔽层的超结晶体管

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

吉米·罗伯特·汉内斯·弗兰奇; K·古梅里尤斯; T·萨克塞纳; G·H·洛切尔特

申请日

Dec 2, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10D 62/10 (2025.01)H10D 30/63 (2025.01)H10D 62/832 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)

公开了一种具有正交屏蔽层的超结晶体管。晶体管包括具有第一导电类型的源极区、在源极区下方并且具有第二导电类型的阱区,以及在阱区下方并且具有第一导电类型的电流扩展层。晶体管包括在沟槽中形成并且以条纹栅极图案设置的栅极。晶体管还包括位于电流扩展层下方的具有第一导电类型的过渡区和具有第二导电类型的屏蔽区。过渡区和屏蔽区以与条纹栅极图案成角度偏移的条纹过渡区图案交替地设置。晶体管还包括在屏蔽区和过渡区下方的超结区。超结区包括以条纹超结图案交替地设置的n型柱和p型柱,该条纹超结图案与条纹过渡区图案成角度偏移。

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