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一种晶体管、电子器件及晶体管的制备方法

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

翟俊宜; 郭迪; 池梦霜; 张祥

申请日

Jul 10, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/17 (2025.01)H10D 62/00 (2026.01)

本发明实施例提供的一种晶体管、电子器件及晶体管的制备方法,包括:栅极、栅介质层、铁电材料层、沟道层以及电极层,栅极、栅介质层、铁电材料层和沟道层依次层叠设置;电极层包括:分别与沟道层连接的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极,第一源极与第一漏极之间的连线为第一参考线,第二源极与第二漏极之间的连线为第二参考线,第一参考线与第二参考线相互交叉;第一参考线与铁电材料层在栅介质层上的投影交叠长度大于第二参考线与铁电材料层在栅介质层上的投影交叠长度。依靠铁电材料层的排布设计,摆脱了晶体管实现各向异性时对于各向异性材料的依赖,从而确保了晶体管具有较高的稳定性和电学性能,并提高了晶体管的电学各向异性。

§ Ⅵ

专利附图

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