形成半导体器件的方法

方法包括接收具有前侧和背侧的衬底；在衬底的前侧上形成源极/漏极和栅极结构，栅极结构包括栅极介电层、栅电极和设置在栅电极的侧壁上的栅极间隔件，其中栅极介电层的介电常数大于栅极间隔件的介电常数；在衬底的背侧上方形成盖层；图案化盖层，以在其中形成盖层开口，该盖层开口暴露与源极/漏极重叠的衬底的部分；通过使用盖层图案化衬底的暴露部分，在衬底中形成暴露源极/漏极的背侧源极/漏极通孔开口；通过引入两种不同的物质，从衬底的背侧对源极/漏极执行背侧离子注入工艺；以及在背侧源极/漏极通孔开口中形成背侧源极/漏极通孔。本公开的实施例还涉及形成半导体器件的方法。