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Dossier
半导体结构及其形成方法
InventionUnknown
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
张育玮; 林彦廷; 熊德智; 丁致远
Filing Date
Jun 18, 2026
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H10D 84/01 (2026.01)H10D 84/83 (2025.01)
提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括:晶体管,晶体管包括:多个纳米结构,设置在基底区域上方;隔离部件,设置在基底区域旁边;源极/漏极部件,耦合至多个纳米结构;栅极结构,包括包裹多个纳米结构的第一部分和位于隔离结构上方的第二部分;第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构,配置为将栅极结构切割成段,第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构的每个延伸穿过栅极结构的第二部分和隔离部件;导电部件,耦合至晶体管,并且设置在第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构之间并且与第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构间隔开;以及导电通孔,延伸穿过隔离部件,并且设置在导电部件下方并且耦合至导电部件。
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