基于GaN的单片集成栅极驱动防串扰电路及其制备方法

本发明公开了一种基于GaN的单片集成栅极驱动防串扰电路及其制备方法，属于半导体器件技术领域，具体包括集成在同一衬底和外延层上的增强型GaN HEMT功率器件和防串扰电路，防串扰电路包括第一电阻、第二电阻、二极管和磁珠，第二电阻、二极管和磁珠串联在前级驱动电路与增强型GaN HEMT功率器件栅极之间，第一电阻并联在第二电阻和二极管串联的两端。本发明通过单片集成技术消除了封装寄生参数，利用二极管的单向导电性与电阻配合，实现了功率器件正常导通时的低阻抗驱动与反向振铃时的高阻抗抑制，有效防止了栅极误开启及器件烧毁；集成的磁珠阵列进一步滤除了高频干扰信号，显著提升了电路的高频稳定性与可靠性。