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半导体器件和制造半导体器件的方法

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陈宏志; 林大钧; 蔡明亨

申请日

Jun 18, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10D 88/00 (2026.01)H10W 20/20 (2026.01)H10W 20/00 (2026.01)H10W 20/41 (2026.01)

根据各个实施例,半导体器件包括:半导体衬底,具有前侧和与前侧相对的背侧;第一电源电路,设置在半导体衬底的前侧上并且在有源区域上方延伸;第二电源电路,设置在半导体衬底的背侧上;电源分接单元,包括馈通通孔,耦合至第一电源电路和第二电源电路,并且电源分接单元配置为从第一电源电路向第二电源电路提供电源;以及绝缘层,设置在半导体衬底的前侧上方并且在电源分接单元上方和有源区域的部分上方延伸。FTV穿过绝缘层连接至通孔接触件。本公开的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

§ Ⅵ

专利附图

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