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刻蚀设备及刻蚀系统

发明专利未知
13权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

万永东; 陈刚; 方文强; 徐承权; 王东泽

申请日

Sep 17, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10K 71/20 (2023.01)

本发明提供了一种刻蚀设备及刻蚀系统,通过旋转托举模块实现晶舟旋转和/或非对称升降,结合反应釜内高度方向温度差,双重驱动刻蚀流体流动,强化流体交换,利于及时带走刻蚀副产物;沉降区可收集颗粒物,泄压模块采用速率渐增式泄压,规避釜内涡流,减少泄压过程热胀冷缩带来的温度扰动;配合供应模块、控温模块稳定构建超临界水刻蚀环境,提升晶圆刻蚀的均匀性与工艺稳定性。

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