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一种晶界高效扩散的含铈磁体及其制备方法
发明专利未知
11权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H01F 41/02 (2006.01)H01F 1/057 (2006.01)H01F 7/02 (2006.01)
本发明属于永磁材料技术领域，涉及一种晶界高效扩散的含铈磁体及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：渗透源合金粉末在含铈磁体基体材料表面进行晶界扩散处理，得到含铈磁体；含铈磁体基体材料的化学成分为[RCe]M1ZrBCoeFe，tFe的重量份/55.845+Co的重量份/58.933，t=B的重量份/10.811‑2×Zr的重量份/91.224，14.5≤t/t≤15.2；渗透源合金粉末的化学成分为RHCeGa。通过基体成分、渗透源、扩散工艺的协同调控，制备了高丰度稀土磁体，降低成本，并提高磁体性能。
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