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用于改善氮化硅相对于氧化硅的选择性蚀刻的方法
发明专利未知
13权利要求 · 7 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
C09K 3/14 (2006.01)C07F 7/18 (2006.01)C09K 13/04 (2006.01)
本发明涉及一种用于蚀刻衬底的至少一个表面，优选用于选择性蚀刻氮化硅，更优选用于在氧化硅存在下选择性蚀刻氮化硅的方法。
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