原始名称记载: 江苏纳沛斯半导体有限公司

本发明公开了一种半导体封装中铜镍金多层电镀工艺，该工艺主要包括：基板前处理(除油、微蚀、活化)、电镀铜层、电镀低应力氨基磺酸镍阻挡层、镍层弱酸活化、电镀薄金层以及后处理。本发明的核心在于通过精确控制镍层的内应力和金层的厚度与致密性，并优化层间活化处理，实现了镀层的高结合力、优异的可焊性、卓越的抗扩散能力和长期可靠性，同时显著降低了金的用量和生产成本。该工艺特别适用于引线框架、封装基板等半导体封装部件。

本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片、介质层、再分布层、凸块下金属化层、焊料凸块；通过RDL和UBM跨越结构，将焊垫信号引至芯片任何位置，实现了更高的I/O密度和更灵活的设计布局，嵌入式腔体为MEMS、传感器等敏感元件提供了完美的保护空间，避免了传统封装塑封料带来的应力或污染UBM跨越结构将焊料凸点布置在腔体之外的坚固区域，远离敏感的功能区域。凸点产生的热机械应力通过坚固的UBM跨越结构分散，不会直接作用于敏感元件下方，显著提高了封装的抗疲劳寿命和可靠性。