原始名称记载: 浙江华电器材检测研究院有限公司

本发明公开了基于动网格算法的断路器性能仿真方法及系统，属于断路器性能仿真技术领域，通过构建断路器的三维模型并进行几何拓扑分区，从而将模拟聚焦于仿真区域，减少了冗余计算，再通过构建区域网络框架，并通过自适应分级和网格动态剖分机制来适配断路器的运动特性，从而在断路器高速分闸场景下也能维持住计算域边界的稳定，从而提高了最终仿真结果的准确性，解决了现有的断路器性能仿真时难以准确模拟高速分闸场景导致的仿真结果可靠性较低的问题。

本发明涉及配电装备技术领域，尤其涉及基于动态湿度调控的环网柜气室温湿度试验方法及装置，利用全自动智能化操作平台对环网柜气室的温度进行自动调节，在气室内气体温度稳定后自动检测该温度下的湿度值，并利用空气中的水分和干燥剂对气室内气体湿度进行智能调节，以便进行其他初始湿度的试验，在不更换气室主体气体的前提下动态调节初始湿度，显著提升了试验数据的代表性和可靠性，控制终端根据实时检测的温湿度、压力及环境参数，精确控制电磁阀、增压泵和高低温箱协同运行，自动进行加湿或降湿，无需人工干预即可完成24小时连续试验。

本发明涉及配电装备技术领域，尤其涉及基于动态霜层调控的环网柜气室温湿度试验方法及装置，通过在高低温试验箱中对环网柜气室进行多温度点测试，并利用镜面湿度检测单元在露点测量过程中形成的霜层，动态调控其厚度以实现气室内湿度的快速、精准调节，从而避免传统低效的气体置换过程，使整个湿度调节过程可在10分钟内完成，极大缩短了多工况温湿度试验周期，通过控制终端自动协调高低温试验箱、电磁阀、泵组及检测单元，实现从温度调节、湿度测量到霜层调控的全闭环操作，支持24小时连续运行，避免了人工干预带来的操作误差和数据波动，显著提升试验数据的可靠性与重复性。

本申请公开用于SiC MOSFET的老化寿命预测方法及系统，涉及碳化硅场效应管老化寿命预测技术领域，方法包括：获取每个实验点组合对应的初始寿命时间数据集合；利用响应面分析方法根据初始寿命时间数据集合构建响应面模型；对响应面模型进行残差分析，获取残差分析结果满足模型适配性以及假设条件符合性的合格寿命时间数据；基于老化影响因子之间的耦合效应，结合响应面模型构建老化寿命预测初始模型；以合格寿命时间数据对老化寿命预测初始模型进行训练，获取老化寿命预测模型；根据实时老化影响因子数据以及老化寿命预测模型输出SiC MOSFET的老化寿命预测结果。本申请的有益效果：同步实现了实验数据需求降低与老化寿命预测准确性提高。

本发明公开了一种基于品质因数优化的LC振荡回路仿真方法及系统，属于振荡回路仿真技术领域，通过搭建回路模型并计算回路模型的品质因数，并采用单参数影响原则确定更加精准的回路参数优化范围，从而提高优化效率，缩短研发周期并降低试验成本，再采用多参数联合优化原则选择最佳的目标参数组合，确保最终的目标参数组合既仿真优异，又能实际落地，从而为待测设备的结构和电路优化提供了可靠的技术支持，解决了合成回路仿真实验中对待测设备的参数优化精度较低和效率较差的问题。