原始名称记载: 中科（深圳）无线半导体有限公司

本发明公开了一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法，涉及电学领域，包括步骤S1：将目标外延结构区域划分为若干子区域，获取各子区域在不同光谱下的色彩异常值及区域异常面积比，形成静态检测数据；步骤S2：基于静态检测数据进行静态缺陷检测，若无静态缺陷则进行动态检测，获取峰值发光亮度偏差；步骤S3：根据动态检测数据发布静态或动态缺陷预警。本发明通过多光谱协同分析和动静态结合检测，显著提高了缺陷检测的全面性和准确性。

本发明公开了一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。其包括在同一硅基衬底上集成增强型GaN MOSFET与耗尽型GaN HEMT，通过金属互联层实现电极连接。制备方法包括外延生长、刻蚀处理、掺杂区制作、金属电极沉积及介质层与互联金属的制备。本申请能够显著减小Cascode器件面积，消除寄生参数，提升开关速度和功率密度，同时实现normally‑off特性，兼顾可靠性和驱动简易性，为高频/高功率应用提供优越解决方案。

本发明公开了一种氧化镓基二极管的外延结构性能检测方法，涉及晶体管领域，解决了现有外延结构性能检测方法存在检测效果的问题，包括步骤S1：分别获取目标待检测二极管在每一个预设功率下发光效率数值，并据此绘制功率光效坐标图，根据功率光效坐标获取目标待检测二极管所对应的合格光效功率区间，步骤S2：分别获取目标待检测二极管在每一个特征功率下的显色指数值，并据此绘制显色指数坐标图，根据显色指数坐标获取目标待检测二极管所对应的合格显色功率区间，步骤S3：根据合格显色功率区间以及合格光效功率区间对样本氧化镓基二极管进行性能检测，并根据检测结果发布性能预警，本发明能够提高二极管性能检测结果的准确性。