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本发明涉及硅外延片技术领域，具体公开了一种FRD外延片的一体化生产工艺。该方法采用三阶段动态调控方式，调节气压与温度，并依次调整载气、硅源气体及掺杂剂气体流量，从而完成低掺杂耐压区外延主体层、过渡层及顶层的生长。第三阶段末通入氧化类气体原位生成SiO钝化层，将外延生长、掺杂控制与表面钝化集成于同一反应腔体内一体化完成。外延生长完成后，于基区进行离子注入，形成高掺杂区。本发明通过一体化生产工艺，减少一道清洗工序，降低缺陷引入风险，厚度均匀性控制在±1.5%以内、电阻率均匀性控制在±3%以内。同时，优化掺杂浓度分布，抑制缺陷，位错密度可降至1×10/cm以下。应用本发明工艺制备的FRD器件，击穿电压提高15%以上，反向恢复时间缩短20%。