原始名称记载: 湖北鼎汇微电子材料有限公司; 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司; 湖北鼎龙控股股份有限公司

本发明提供一种化学机械抛光垫缓冲层、制备方法、抛光垫及应用，所述缓冲层包括聚氨酯层和支撑层，所述聚氨酯层由包含聚氨酯、阴离子型助剂、非离子型助剂和溶剂的浆料组合物固化而成。所述缓冲层的硬度为60‑80 Shore A、压缩比为4‑8%、密度为0.6‑0.8g/cm。本发明可提高抛光垫在抛光时的表面平坦度，改善缓冲层与抛光层的粘合性，进一步提高抛光垫的耐受性，减少抛光垫的鼓包问题。

本申请提供了一种抛光层、包含其的抛光垫及半导体器件的制造方法，涉及化学机械平面化处理的抛光技术领域。该抛光层通过包含异氰酸酯预聚体、固化剂以及中空微球的原料反应制得，异氰酸酯预聚体是由包括芳香族异氰酸酯和聚合多元醇的原料反应得到，以NCO为封端基团，异氰酸酯预聚体整体NCO的质量百分数为6~12%，游离态芳香族异氰酸酯含量小于等于0.1%。本申请提供的抛光层能够在保证抛光垫密度不变的基础上，减少抛光过程中的磨耗，延长抛光垫的使用寿命，并且能够通过简单、低成本的工艺调整实现硬度的宽范围调节，从而适配不同半导体制造工艺的差异化需求。