苏州光筑激光设备有限公司

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于TSV与深槽结构的交替脉冲刻蚀与侧壁保护方法，包括以下步骤：S1、初始工艺参数确定：预定义脉冲刻蚀与侧壁保护的初始工艺参数集；S2、脉冲刻蚀：形成的双层保护层抑制侧壁刻蚀；S3、侧壁保护：调控侧壁形貌的正负倾角；S4、孔槽参数关联分析：实时监测并动态调整脉冲刻蚀与侧壁保护过程中的工艺参数。本发明通过采用多尺度模型仿真优化的方波脉冲偏压，获得了最集中的离子能量分布，显著提高了刻蚀的方向性；同时，通过引入微量氧气，在刻蚀周期中形成了由氟碳聚合物淀积层与氧离子辐照层共同构成的双层保护层，可以有效提高了侧壁保护层的致密度和抗刻蚀能力，极大地抑制了侧壁刻蚀。