绍芯实验室

本发明公开了一种基于二维超薄异质结的柔性铁电浮栅晶体管及其制备工艺，自下而上依次包括：柔性聚合物衬底薄膜；底栅金属电极，形成于柔性聚合物衬底薄膜的表面；铁电介质薄膜层，覆盖于底栅金属电极及柔性聚合物衬底薄膜表面；金属浮栅岛，位于铁电介质薄膜层表面的预设区域；超薄隧穿介质层，包覆金属浮栅岛并沉积于铁电介质薄膜层的表面；二维半导体沟道薄片，位于超薄隧穿介质层的表面，作为晶体管的半导体沟道；以及源极金属电极与漏极金属电极，分别位于二维半导体沟道薄片的两端并形成欧姆接触。本发明解决了高温铁电相变退火与柔性衬底不兼容、柔性衬底微纳加工对准精度低、器件剥离损伤大的技术问题。