中国电子科技集团公司第四十四研究所

本发明公开了一种光学器件及制备方法、超表面结构及设计方法、成像系统，所述光学器件包括：探测器阵列，包括多个探测像元，用于接收入射光并将其转换为电信号；以及超表面结构，设置于所述探测器阵列的光入射侧，所述超表面结构包括多个滤光单元，所述多个滤光单元与所述多个探测像元在光路上对应设置；其中，每一所述滤光单元被配置为：将入射光中与自身对应的目标波段的光沿第一方向透射至对应的探测像元，并将入射光中除所述目标波段之外的至少部分光沿不同于所述第一方向的第二方向偏折，以使该部分光入射至所述对应的探测像元以外的区域。本发明能够在不牺牲图像分辨率的前提下实现光谱分辨和彩色成像。

本发明涉及一种具有大光能量探测范围的紫外传感器，属于光电传感器领域。本发明通过在荧光转换晶体界面增加驱动器和二元反射镜组，以光能量输出信号反馈控制驱动器的驱动信号，推动二元反射镜组相对位移，进而调节进入后端光电二极管的光能量，使得在光能量较大时，减小进入光电二极管的光能量，光能量较小时，增加进入光电二极管的光能量。从而使光电二极管始终工作于舒适的光能线性响应范围，扩大传感器整体的光能量探测范围，促进极限环境探测能力、成品率、使用寿命等提高。

本申请提供了一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管包括衬底、外延结构、掺杂区域、第一电极、第二电极和第三电极。掺杂区域从外延结构中帽层远离衬底的一侧朝向靠近衬底的一侧延伸。掺杂区域包括第一掺杂区域和环绕设置于第一掺杂区域四周的第二掺杂区域，第一掺杂区域和第二掺杂区域具有第一预设间隔。第一电极与衬底电连接，第二电极与第一掺杂区域电连接，第三电极与第二掺杂区域电连接，第二掺杂区域通过第三电极与外部电压源电连接，可以通过外部电压源实时动态调整第二掺杂区域的电压，从而可以基于偏置电压实现对于第一掺杂区域的边缘区域的电场强度的调控，满足高探测效率、低暗计数率、低后脉冲概率等需求。