盛合晶微半导体（江阴）有限公司

本发明提供一种深沟槽电容结构及其制备方法，制备方法包括步骤：分别制备具有深沟槽电容结构的第一中间结构与第二中间结构，第一中间结构及第二中间结构均包括衬底、深沟槽、介质层、下电极层、介电层、上电极层及接触介质层，再将第二中间结构与第一中间结构键合以得到第三中间结构，其中，第一中间结构的上电极层与第二中间结构的上电极层相互对准并相接，再于第三中间结构中形成第一导电柱、第二导电柱及第三导电柱，并于第一导电柱及第三导电柱上形成下电极，于第二导电柱上形成上电极。本发明的深沟槽电容结构可以进一步提高深沟槽电容相同平面面积下的电容量，从而满足客户对高性能、高密度电容的需求。

本发明提供一种电容器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供设有沟槽的衬底，于衬底的第一面及沟槽内形成第一介质层，于第一介质层上依次形成下电极层、介电层、上电极层及第二介质层，通过刻蚀工艺显露下电极层的两端及第一介质层的两端，于第一介质层上依次形成第三介质层及第四介质层，形成贯穿第四介质层、第三介质层及第二介质层与上电极层电连接的第一焊盘和贯穿第四介质层、第三介质层及第二介质层与上电极层电连接的第二焊盘，于第三介质层上形成层间介质层，形成贯穿层间介质层与第一焊盘电连接的第一导电柱及贯穿层间介质层与第二焊盘电连接的第二导电柱。本发明的电容器能够在有限的封装空间内实现电容值的显著提升。

本发明提供一种晶圆及其切割方法，本发明的晶圆通过设计将测试键邻接于切割道的一侧，即将现有的晶圆设计中的切割道及测试键两边的空旷区域结合在一起形成本发明的切割道，因此，本发明的晶圆切割方法中无需进行现有技术中的激光开槽，可以直接沿切割道进行等离子体切割，减少激光开槽的工艺制程，降低成本，且本发明不需要在激光开槽之后进行晶圆的薄片制程，降低了晶圆裂片，以致芯片单元失效的风险。