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本发明公开一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法和用途，所述蚀刻液包括以下重量份的原料：氢氟酸15‑30份、超纯水50‑70份、缓蚀剂0.1‑5份、表面活性剂0.1‑1份。本发明的蚀刻液能够实现二氧化硅基底片的高均匀性表面蚀刻，经本发明的刻蚀液蚀刻后基底表面的算术平均高度可控制在0.05 μm以下。本发明蚀刻液通过加入表面活性剂并且精准控制氢氟酸水溶液浓度，将蚀刻液速率稳定在0.19 μm/min，以实现对二氧化硅基底蚀刻速率的精准调控、表面高均匀性并且不腐蚀金属保护层。且本发明的刻蚀工艺可控性强，可以应用在任何深度的蚀刻工艺中。本发明通过在蚀刻液中引入金属缓蚀剂，能够有效保护金属层不被腐蚀。