湖南融创微电子股份有限公司

本发明涉及微电子抗辐射仿真技术领域，提供一种单粒子翻转的后仿真逻辑注入方法，通过高阻抗物理隔离选通模块引入开关的高阻抗隔离特性，保护了正常仿真阶段待测集成电路的静态和时序工作点不受外部激励源多寄生参数影响，同时利用可配置时序脉冲生成模块产生分段线性脉冲提供精准时序控制，实现了对存储节点在特定时刻逻辑状态翻转的确定性注入，这种跳过物理过程直接强制逻辑跳变的测试结构，能够直接在仿真层面复现最终存储节点翻转结果，便于在前期评估系统级抗单粒子翻转能力，显著提高了设计人员在抗辐照后端验证中的效率。