江西兆驰半导体有限公司

一种增强出光效率的半导体发光外延结构及其制备方法，该结构包括衬底，以及在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、折射率渐变层、有源层和P型半导体层，折射率渐变层包括In组分，In组分自N型半导体层向有源层的方向逐渐升高，以使得折射率渐变层的折射率单调递增。本发明旨在解决现有技术中折射率渐变层无法主动引导光线、出光效率偏低的问题。

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种双波段LED外延片及其制备方法，包括沿外延方向依次设置的衬底、缓冲层、第一N型半导体层、第一应力释放层、第一绿光量子阱层、第二N型半导体层、第二应力释放层、蓝光量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层、第二绿光量子阱层和P型欧姆接触层。采用本发明，在减少对荧光粉的使用和降低制造成本的前提下，不仅提升显色性能和绿光增强性能，还有利于提高发光效率。

本发明公开了一种LED量子阱层优化方法及系统，方法包括获取MOCVD多量子阱生长的历史数据集，并对所述历史数据集进行预处理；将预处理后的历史数据输入预构建的深度学习模型，进行监督训练，生成芯片性能预测模型；设定目标芯片性能指标，使用候选MOCVD参数在所述芯片性能预测模型的搜索空间内进行迭代搜索，输出最优MOCVD生长参数组合。本发明强制模型遵守基本物理规律，避免了纯数据驱动模型的反物理预测，将物理先验作为正则化项，显著降低了模型对大数据量的依赖，适合半导体研发阶段数据稀缺的场景。