原始名称记载: 长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的至少一个电容器，电容器包括：多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行，第三方向垂直于衬底的表面；多个第一电容结构，沿第一方向分别位于第一纳米片的两侧并与第一纳米片电连接；导电结构，分别沿第二方向和第三方向贯穿多个第一纳米片，并通过第一纳米片与多个第一电容结构电连接。

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于字线材料层和功能层之间的介质层；字线材料层邻近功能层的一侧设置有沿第一方向延伸的凹陷部，凹陷部沿第二方向自上至下凹陷且凹陷部的侧壁被字线材料层围绕；介质层覆盖凹陷部的表面和字线材料层的顶面，功能层覆盖介质层的表面且填充满凹陷部，功能层包括沿第二方向自上至下相连的主体部和突出部，突出部位于凹陷部中，主体部位于突出部和覆盖字线材料层的顶部的介质层上，且沿第三方向，突出部的尺寸小于主体部的尺寸；字线材料层和功能层均包含导电材料。

本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在第一方向上的两端，第一延伸部与共用沟道区邻近第二栅极层一侧的端部连接，第二延伸部与共用沟道区邻近第一栅极层一侧的端部连接；共用沟道区和第一延伸部的掺杂类型相同，且与第二延伸部的掺杂类型相反；第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现，第二存储层的数据写入基于第二栅极层与参考电压的电压差在第二预设范围来实现。