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一种平面栅极晶体管器件，包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方，靠近导电栅电极的漏极接触侧，导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。