南京南瑞半导体有限公司

本发明公开了一种基于沟槽侧壁精准氧化加工的沟槽栅IGBT制备方法、沟槽栅IGBT和功率模块，属于沟槽栅IGBT技术领域。方法包括先制作沟槽；在沟槽的内壁表面生长一层第一栅氧层；在沟槽内及半导体衬底表面沉积完全填充沟槽的多晶硅层；去除沟槽侧壁部分的多晶硅层使沟槽侧壁处的第一栅氧层暴露；去除暴露于沟槽侧壁的第一栅氧层使沟槽侧壁的硅表面重新裸露；在沟槽侧壁裸露的硅表面生长第二栅氧层；去除沟槽底部保留的多晶硅层使沟槽底部的第一栅氧层暴露；在沟槽内沉积导电材料，形成栅电极，继续后续工艺得到沟槽栅IGBT。本发明通过分步氧化实现厚底薄壁的栅氧结构，厚底缓解电场集中，薄壁保证了沟道迁移率。