原始名称记载: 湖南德智新材料股份有限公司

本发明涉及无机非金属材料加工技术领域，具体涉及一种SiC开口环的加工方法和装置，所述加工方法包括石墨切型、高温纯化、石墨坯体的第一面加工、石墨坯体的第二面加工、高温矫正、冷却以及沉积。本发明的SiC开口环的加工方法，在高温矫正步骤中，将处于断开状的石墨坯体放入矫正装置内，在特定温度环境下烘烤3‑5H，能够基本消除产品应力，减少形变风险，大大提高了产品的尺寸稳定性，避免了因形变导致的产品报废，从而提高了SiC开口环产品的合格率。

本申请提供了一种确定石墨基体的平面度的方法及系统、电子设备、存储介质，该方法包括：获取石墨基体的性能参数，以及支撑点的空间位置分布和约束类型，其中，支撑结构在支撑点处对石墨基体提供支撑；基于性能参数、支撑点的空间位置分布和约束类型，构建石墨基体和支撑结构的几何模型；对几何模型进行网格划分，其中，石墨基体对应支撑点的区域进行网格加密；确定几何模型的边界条件，边界条件包括温度场边界条件和应力场边界条件；基于边界条件，对几何模型进行热‑力耦合仿真，得到石墨基体表面的形变分布数据，形变分布数据用于表征石墨基体的平面度。本申请的技术方案具有较高的计算效率和仿真准确率。