一种二维钐氧硫单晶栅介质及其制备方法
本发明涉及晶体介电材料领域,公开了一种二维钐氧硫单晶栅介质及其制备方法,包括:将钐氧氯粉末与KCl‑NaCl混合盐粉末混合制得前驱体混合物;以管式炉为反应设备,硫粉置于加热温区上游,云母衬底倾斜固定于加热温区且下端埋入前驱体混合物;升温至 780℃~850℃,硫粉升华随载气进入加热区,前驱体熔化形成液滴沿衬底铺展,与气相硫反应触发成核,晶体沿液‑固界面外延生长,保温后随炉冷却制得二维SmOS单晶薄膜。本发明解决了栅介质与二维半导体沟道界面质量差、器件电学性能低的问题,克服了层状介电材料难以兼顾宽带隙与高介电常数的难题,所得单晶薄膜层状结构质量高、表面平整度好。