原始名称记载: 浙江创芯集成电路有限公司

本发明提供一种多深度硅波导的制备方法，包括步骤：提供一设有自下而上依次堆叠有下包层和硅层的半导体衬底，硅层包括第一预设凹槽区和第二预设凹槽区，形成硬掩膜层于硅层上，基于第一光罩图形化硬掩膜层形成第一开口和第二开口，形成第一光刻胶层于硬掩膜层上并基于第二光罩图形化第一光刻胶层，对硅层进行刻蚀以形成具有第一深度的第一凹槽于第一预设凹槽区中，去除第一光刻胶层，形成第二光刻胶层于硬掩膜层上并基于第三光罩图形化第二光刻胶层，对硅层进行刻蚀以形成具有第二深度的第二凹槽于第二预设凹槽区中，第二深度与第一深度不同，去除第二光刻胶层。本发明的多深度硅波导的制备方法能够节省工艺制备中的光罩成本，简化工艺步骤。

本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：基底；漂移区，位于所述基底上；沟道层，位于所述漂移区内；阱区，位于所述基底上，且与所述漂移区的第一侧相邻；第一栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述阱区和沟道层；源极掺杂层，位于所述第一栅极结构一侧的阱区内；漏极掺杂层，位于所述漂移区内且邻近所述漂移区的第二侧；第二栅极结构，位于所述源极掺杂层一侧的阱区内，且远离所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的深度大于所述源极掺杂层的深度，以及所述第二栅极结构的深度大于所述沟道层的深度。采用上述方法，可以提高半导体结构的性能。