天津三安光电有限公司

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、发光装置及制作方法。发光二极管包括具有第一表面和第二表面的外延结构，外延结构包括第一类半导体层；第一类半导体层包含位于第一表面侧的第一欧姆接触层，其材料为AlGaInP，0≤x≤1或0≤y≤1；第一金属电极位于第一表面上，包括主电极和多个扩展电极；扩展电极位于第一欧姆接触层上；从俯视看，扩展电极在第一表面的投影面积小于等于第一欧姆接触层在第一表面的投影面积。本发明能有效解决传统GaAs作为欧姆接触层大幅吸光的问题，避免传统的金半接触在制程时存在由于片源变形或对位偏差造成的正向电压输出不稳的问题，还可有效提升整个电极结构抗电化学腐蚀能力。