原始名称记载: 华东光电集成器件研究所

本发明涉及一种MEMS‑CMOS器件垂直互联集成封装制备方法，包括以下步骤：在第一硅片（3）上加工TSV通孔，填充晶硅（2a）；在第一硅片上面分别加工CMOS电路层、RDL层，在第一硅片另一面加工锗键合点（8）；第二SOI硅片（10）和第三SOI硅片（11）熔融键合形成空腔（9），第三硅片上制备铝/钛/铝键合点（12），在第三硅片上面制备MEMS可动微结构（13），使金属铝/钛/铝键合点和MEMS可动微结构实现电学互连，第一硅片和第三硅片铝锗键合点共晶键合。本发明大幅度减小MEMS器件与CMOS处理电路集成封装芯片尺寸，同时RDL结构可无视MEMS器件和CMOS电路的种类、布局、大小，实现晶圆级键合封装。

本发明涉及一种基于微系统集成的信息处理芯片，利用SiP技术将PSOC多核信息处理器裸芯、一组DDR3裸芯、一组Nor Flash裸芯、高精度LDO裸芯和复位裸芯安装在转接基板上；DDR3裸芯分别挂接到PSOC多核信息处理器裸芯的PS端和PL端作为高速缓存，FLASH裸芯分别挂接在PSOC的专用引脚上和POC的PL Bank上，用作PSOC的配置文件存储和固化程序和参数存储或者用户自定义；LDO为DDR3提供供电电压；复位芯片裸芯监控电源电压的工作情况。本发明的优点：通过微系统集成技术，可实现小型化、低成本、低功耗，具有丰富的逻辑资源和接口、灵活性高、通用性强等优势。

本发明涉及一种电源过流保护控制电路，由温度采集电路单元、电流检测电路单元、电压采集电路单元及控制电路单元组成；温度采集电路单元采集整个电路工作中的温度；电流检测电路单元完成电流检测功能，根据电路中MOSFET内阻随温度变化的曲线以及采集到的温度，精确得到当前温度下MOSFET内阻，精确的将检测到的电流转换为电压，电压采集电路单元对该电压值进行采集上传给控制电路单元MCU；控制电路单元根据采集到的电压值控制MOSFET管的通断完成对输出电压的控制。本发明优点：采用软硬件相结合的方式完成电源过流保护功能，使系统的稳定性和抗干扰性增加了一个数量级；利用MOSFET内阻随温度变化的曲线图，实现精准过流检测。