原始名称记载: 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司; 中国科学院微电子研究所

本发明公开面向半导体刻蚀工艺的三维轮廓仿真方法和装置，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中刻蚀工艺的三维刻蚀轮廓仿真方法精度和效率无法兼顾的问题。方法包括：构建待刻蚀半导体结构的三维仿真域并获取仿真参数；将所述三维仿真域离散为多个体素并对多个所述体素进行材料类型标记，得到多类体素；所述多类体素至少包括衬底体素和掩模体素；基于所述仿真参数，采用蒙特卡洛方法模拟入射粒子与目标体素的作用过程；所述目标体素为所述衬底体素或者所述掩模体素；当所有入射粒子完成作用过程后，输出刻蚀后的半导体结构的三维轮廓。本发明用于提高刻蚀工艺的三维刻蚀轮廓仿真方法精度和效率。

本申请公开了一种后道工序互联热效应评估的方法、装置及电子设备。基于各通孔/金属线的基本信息构建后道工序互联BEOL的等效三维热阻网络，并获取该网络输出的BEOL等效热阻网表。在保留BEOL的空间结构信息的基础上，无需进行复杂的物理场仿真和成本高的高精仿真，在提高仿真效率、减少仿真成本的同时，还保证了仿真精度和空间分辨率。随后基于电路网表和BEOL等效热阻网表进行电路仿真，获得各节点的稳态温度值。将静态的等效热阻建模过程转化为与仿真协同的动态过程，提升了电路级仿真结果的准确度。基于稳态温度值、BEOL等效热阻网表和各金属层的通孔密度进行热效应评估，便于为器件性能评估和电路版图优化提供数据支撑。