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一种硅烷、氯硅烷混合气处理工艺及控制系统、方法
发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
张芥铭; 涂大勇; 庹如刚; 李兵; 余宏福; 吴天成; 张聪; 徐正伟; 杨定勇
IPC 分类
B01D 53/78 (2006.01)B01D 53/68 (2006.01)B01D 53/14 (2006.01)C02F 9/00 (2023.01)C02F 1/66 (2023.01)C02F 1/00 (2023.01)C02F 1/58 (2023.01)
本发明公开了一种硅烷、氯硅烷混合气处理工艺及控制系统、方法，涉及多晶硅生产中废气处理技术领域，工艺包括下述步骤：S1、混合气预处理；S2、氯硅烷深度脱除；S3、硅烷去除，经三级处理后至尾气中硅烷含量≤1.0mg/m、氯硅烷含量≤1.0mg/m，再放空尾气，同时公开了适用于该工艺的控制系统和控制方法，实现对多晶硅生产中产生的含氯硅烷、硅烷、氮气、氢气的混合工艺气体优化处理，减少碱液的使用，降低排放、降低生产成本。
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