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单壁碳纳米管、底吹法制备单壁碳纳米管的装置及方法

发明专利有效
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

石少华; 洪辉辉; 漆斌; 杨劲松; 程光浩; 周维

IPC 分类

C01B 32/162 (2017.01)C01B 32/159 (2017.01)B82Y 40/00 (2011.01)

本发明公开了一种单壁碳纳米管、底吹法制备单壁碳纳米管的装置及方法。底吹法制备单壁碳纳米管的方法包括:将催化剂置于反应室的第一温区内,并保持熔融态;将合成单壁碳纳米管所需的气态碳源、气态助剂通入混气室内,混合形成第一混合体系,使所述第一混合体系通过通孔首先进入熔融催化剂中,并形成包含催化剂和第一混合体系的反应泡,在反应泡内,所述碳源发生预分解,并与所述助剂、所述催化剂混合接触形成第二混合体系,待反应泡到达第二温区后,所述第二混合体系发生合成反应形成单壁碳纳米管,同时,反应泡发生破裂,碳源可迅速生长为单壁碳纳米管。