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一种基于等离子体辅助复合催化氧化的碳化硅粉料深度除碳方法
发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
韩倩; 李远田
IPC 分类
C01B 32/956 (2017.01)
本发明提出了一种基于等离子体辅助复合催化氧化的碳化硅粉料深度除碳方法,该碳化硅粉料深度除碳方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:用酸对碳化硅粉料原料进行清洗处理和烘干处理,得到预处理后碳化硅粉料;S2:将所述预处理后碳化硅粉料浸入硝酸钴、硝酸锰或硝酸铁溶液中,进行分散处理、蒸发处理和煅烧处理,得到金属氧化物/碳化硅复合催化剂;S3:将所述金属氧化物/碳化硅复合催化剂置于射频等离子体反应器中,进行氧化反应;S4:待所述氧化反应结束后,进行后处理,得到除碳后的碳化硅粉料。该除碳效果显著优于传统高温氧化法。
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