显示领域的半导体氧化物α-IGO靶材及其应用方法

本发明涉及靶材技术领域，提供一种显示领域的半导体氧化物α‑IGO靶材及其应用方法，以氧化铟的高迁移率与氧化镓的高稳定性为基体，在不同氧化铟与氧化镓比例中，通过少量的两者离子半径之间的离子半径金属元素掺杂，在引入载流子浓度的同时，使得主元素间结晶时，离子半径的过渡更加舒畅，减少因离子半径差异造成晶格错位而导致的缺陷的形成，从而进一步稳定薄膜迁移率；通过引入稀土氧化物宽禁带材料，以提高薄膜光学性能；进一步的，通过引入具有较强耐腐蚀性能的Al、Sn4元素，以提高波薄膜的耐腐蚀性能，提高薄膜在应用过程中的耐腐蚀性，并通过顶栅结构薄膜晶体管的性能测试，最终迁移率可达25‑55cm/V·s。