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一种高电阻率的铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法
发明专利有效
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9权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘来君; 张彪; 于舒行; 李王新; 陈春明; 许明群
IPC 分类
C04B 35/453 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 41/88 (2006.01)
本发明涉及电子陶瓷和压电器件领域，特别涉及一种高电阻率的铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法；所述铌酸铋钙基压电陶瓷材料的化学组成为Ca(LiTbGd)BiNbMnO，其中0 ≤ x ≤ 0.08。本发明以CaBiNbO为基体，A位Li、Tb、Gd共掺杂、B位掺杂Mn，制备得到一种无铅压电陶瓷，该压电陶瓷材料在不影响退极化温度的同时，兼具优异压电活性和高电阻率。