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钙钛矿型压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

于肖乐; 王雪婷; 戴磊; 王君妍

IPC 分类

C04B 35/493 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)H10N 30/853 (2023.01)H10N 30/097 (2023.01)

本发明提供一种钙钛矿型压电陶瓷材料及其制备方法,通过在钙钛矿型铌锌酸铅‑锆钛酸铅(PZN‑PZT)压电基体中引入在沿[111]晶体方向具有大畸变的铪酸铅PbHfO(PH)基元,利用PH比PbZrO(PZ)在[111]晶体方向具有更大的离子偏离BO晶体中心幅度,强化晶体畸变度;对于ABO钙钛矿型压电体,铁电极化源于B位离子偏离BO晶体中心,并且偏离程度有利于高居里温度的获取;实现了高品质因数和高居里温度的均衡共赢,其综合性能远优于传统PZT基压电陶瓷,这将为PZT基家族的应用以及上述领域的发展注入新动力。

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