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一种低氧含量氮化硅粉体及其制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
李华坚; 张天峰; 冯晓霞; 刘金朋; 张学稳; 张俊华
IPC 分类
C04B 35/591 (2006.01)C04B 35/589 (2006.01)C04B 35/626 (2006.01)
本发明提供一种低氧含量氮化硅粉体及其制备方法,属于氮化硅制备技术领域;本发明通过采用具有空间位阻基团的胺为原料,合成能抵御水分解侵蚀的“亲氮疏氧”型聚硅氮烷前驱体;利用PEG‑PPG‑PEG将前驱体与催化剂前体共包裹,这既预设了最终粉体的优异分散性,又为后续除碳步骤预埋了催化剂,并通过超临界氨实现温和的低温固化;在分步热解过程中先移除模板以物理隔离颗粒,再激活预埋的催化剂,将固态残碳主动地转化为气体移除;在高温晶化阶段,利用杂质自然偏析至颗粒表面的规律,再辅以高活性的气相化学刻蚀进行表面处理,将固态的氧杂质转化为易挥发的气态产物而移除,确保了最终产品的低氧含量。
§ Ⅵ
专利附图
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