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一种提升陶瓷封闭性气孔消除率的梯度烧结工艺

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

孙伟; 李丽霞; 陈家淦; 吴建充; 王娜

IPC 分类

C04B 35/645 (2006.01)C04B 35/10 (2006.01)C04B 35/638 (2006.01)

本发明公开了一种提升陶瓷封闭性气孔消除率的梯度烧结工艺,属于氧化铝陶瓷制造技术领域,通过在烧结排胶的时候,加入氧化镧铝核壳粉体作为烧结助剂并利用空气氛围到氧气氛围的切换,实现梯度烧结,能够大幅消除封闭性气孔,提升陶瓷材料致密度和力学强度,使其不易开裂;本发明烧结助剂为氧化镧铝核壳粉体,结构为氧化镧为壳层,γ‑氧化铝为核层的核壳结构,氧化镧能够降低晶格阳离子填隙的浓度或产生晶界拖拽效应,从而控制晶粒的生长速率,确保气孔的顺利排除,并且氧气煅烧下,能够增大氧化铝和氧化镧中阳离子填隙的浓度,在烧结致密化过程中能在一定程度上控制晶界迁移率,进一步降低闭合气孔形成。

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