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一种电子级三(二甲氨基)硅烷的生产工艺

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

顾二形; 宋福全; 李辉如; 卢志国; 王波; 余成玉

IPC 分类

C07F 7/10 (2006.01)C07F 7/20 (2006.01)B01J 31/22 (2006.01)B01J 37/02 (2006.01)B01J 37/00 (2006.01)B01J 23/42 (2006.01)

本发明涉及有机化学合成领域,公开了一种电子级三(二甲氨基)硅烷的生产工艺,包括以下步骤:S1:硅烷经分子筛脱水至水分≤1ppm,金属杂质≤5ppb;二甲胺气体通过‑30℃深冷捕集器去除重组分杂质;S2:在耐压反应釜中,利用催化剂催化硅烷与二甲胺反应:S3:①初级精馏:60℃减压蒸馏,压力≤10kPa,去除低沸物;②吸附纯化:经3A分子筛与活性炭复合床层,脱除微量水分及有机物,制备得到电子级三(二甲氨基)硅烷,本发明制备的产品纯度≥99.999%,金属杂质≤50ppb,氧含量≤20ppm,且收率提升至97%以上,能耗降低40%,适用于半导体ALD/CVD工艺前驱体。

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