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一种高量子产率、窄半峰宽的红光碳量子点的制备方法和应用

发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

袁方龙; 李晨昊

IPC 分类

C09K 11/65 (2006.01)C01B 32/15 (2017.01)B82Y 40/00 (2011.01)B82Y 20/00 (2011.01)H10H 29/851 (2025.01)C09K 113/00 (2026.01)

本发明涉及纳米材料领域,具体涉及一种高量子产率、窄半峰宽的红光碳量子点的制备方法和应用。本发明首次实现了红光碳量子点在高量子产率、窄半峰宽和长波长发射等多项关键性能上的协同兼顾,能够灵活实现电致发光二极管器件多种发光颜色,极大地拓展了器件的应用范围。在不同掺杂比例下,所制备的器件具有较高的亮度、和发光色纯度,优于现有相关器件,显示出本发明材料及结构对器件性能的优异兼容性。

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