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一种具有异质晶粒结构的高熵多主元合金及其设计制备方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

钟圣怡; 杨俊杰; 陈哲; 林皓

IPC 分类

C22C 30/00 (2006.01)C22C 1/02 (2006.01)

本发明公开了一种具有异质晶粒结构的高熵多主元合金及其设计制备方法,基体成分包含Co、Ni、V、W,各元素的原子百分比为:Co 41.8~45 at.%,Ni 30 at.%,V 20 at.%,W 5~8.2 at.%。还公开了该高熵多主元合金的设计方法,通过CALPHAD热力学计算结合双筛选准则(熔点差>100℃且保持单相面心立方结构),确定W为最优异质形核剂,并开发出电弧熔炼‑吸铸"一步法"制备工艺,成功在铸态直接形成异质晶粒结构,相比传统合金制备工艺缩短流程60%以上,使材料获得强度(550MPa)与塑性(37%)的协同突破,解决了异质结构合金制备工艺复杂、性能难以兼顾的关键难题。

§ Ⅵ

专利附图

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