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低工艺敏感性的纳米晶软磁合金及其制备方法
发明专利有效
5权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王坦; 孙秋雨; 刘仲庆; 张坤; 李福山; 蔡永福; 陈辰; 魏然; 吴少杰
IPC 分类
C22C 45/02 (2006.01)C22C 33/00 (2006.01)C21D 1/26 (2006.01)C21D 6/00 (2006.01)C21D 9/52 (2006.01)H01F 1/153 (2006.01)H01F 41/02 (2006.01)
本发明涉及一种低工艺敏感性的纳米晶软磁合金及其制备方法,旨在解决铁基非晶合金因退火工艺敏感性高导致量产稳定性差的问题。在Fe‑Ni‑B‑C‑Cu体系在添加0.4‑2 at.% Nb元素,通过:①形成晶界钉扎相,提高‑Fe晶粒长大活化能(↑15.7%至205.7 kJ/mol);②拓宽晶化温度区间(Δ↑30%至152 K)。技术效果:退火温度窗口由40 K扩至80 K,时间窗口由40 s延至120 s,同时保持高饱和磁通密度(1.83 T)、低矫顽力(3.6 A/m)及高磁导率(9491@1kHz)。适用于变压器铁芯等电磁元件批量化生产。
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